IC(Integrated Circuit, 集成电路)。IC 是集合晶体管、二极管、电阻及电容等组件,聚集在silicon wafer上,形成完整的逻辑电路,以达成控制、计算或记忆等功能。IC 种类可分为内存IC、微组件IC、逻辑IC及模拟IC 四大类。IC的制作过程,由硅晶圆开始,经过一连串制程步骤,包括光学显影、快速高温制程、化学气相沉积、离子植入、蚀刻、化学机械研磨与制程监控等前段制程,与逐渐形成主流的Flip chip Bumping process覆晶封装、测试等后段制程方始完成。
覆晶封装是将芯片翻转向下,并藉由金属凸块与承载基板接合的封装技术,前段制程必须先进行晶圆植凸块(Wafer Bumping)。因覆晶封装具有降低电流干扰、大幅缩小封装面积的优点,符合电子产品小型化的趋势,长期发展潜力相当看好。尤其,随着覆晶封装成本的快速降低,目前已有不少产品使用覆晶封装,包括C P U、芯片组、绘图芯片、可程序逻辑芯片等,是成长潜力最强的封装方式。
Bump凸块底层金属(UBM)提供连结及防止金属垫与凸块相互扩散,UBM主要有附着层、扩散阻障层及焊锡接着层等。常见之UBM系统为Cu,Ti,Ti/W,Cu/Ni及无电镀Ni/Au。
扬博公司所代理的Wafer bumping电镀液拥有卓越的量产经验与凸块制程专用UBM铜,钛蚀刻液,针对选择性蚀刻,提高整体Bumping制程稳定性并提升良率.
IC wafer Bumping制程相关产品如下
1. EU/LF Wafer Bumping电镀药水(ULA/SULA):ISHIHARA(Ishihara chemical, co .,Ltd)&MMC(Mitsubishi Material Corporation)
2. UBM铜,钛选择性蚀刻液: MGC (Mitsubishi Gas Chemical)
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