IC(Integrated Circuit, 積體電路)。IC 是集合電晶體、二極體、電阻及電容等元件,聚集在silicon wafer上,形成完整的邏輯電路,以達成控制、計算或記憶等功能。IC 種類可分為記憶體IC、微元件IC、邏輯IC及類比IC 四大類。IC的製作過程,由矽晶圓開始,經過一連串製程步驟,包括光學顯影、快速高溫製程、化學氣相沉積、離子植入、蝕刻、化學機械研磨與製程監控等前段製程,與逐漸形成主流的Flip chip Bumping process覆晶封裝、測試等後段製程方始完成。
覆晶封裝是將晶片翻轉向下,並藉由金屬凸塊與承載基板接合的封裝技術,前段製程必須先進行晶圓植凸塊(Wafer Bumping)。因覆晶封裝具有降低電流干擾、大幅縮小封裝面積的優點,符合電子產品小型化的趨勢,長期發展潛力相當看好。尤其,隨著覆晶封裝成本的快速降低,目前已有不少產品使用覆晶封裝,包括C P U、晶片組、繪圖晶片、可程式邏輯晶片等,是成長潛力最強的封裝方式。
Bump凸塊底層金屬(UBM)提供連結及防止金屬墊與凸塊相互擴散,UBM主要有附著層、擴散阻障層及焊錫接著層等。常見之UBM系統為Cu,Ti,Ti/W,Cu/Ni及無電鍍Ni/Au。
揚博公司所代理的Wafer bumping電鍍液擁有卓越的量產經驗與凸塊製程專用UBM銅,鈦蝕刻液,針對選擇性蝕刻,提高整體Bumping製程穩定性並提升良率.
IC wafer Bumping製程相關產品如下
1. EU/LF Wafer Bumping電鍍藥水(ULA/SULA):ISHIHARA(Ishihara chemical, co .,Ltd)&MMC(Mitsubishi Material Corporation)
2. UBM銅,鈦選擇性蝕刻液: MGC (Mitsubishi Gas Chemical)
|